2011년 9월 19일 월요일

전기 쌍극자 모멘트(Electric Dipole Moment)

[경고] 아래 글을 읽지 않고 "전기 쌍극자 모멘트"를 보면 바보로 느껴질 수 있습니다.
1. 전기장
2. 전압


전기장(electric field)의 관계식을 유도할 때는 단 하나의 전하(electric charge)만을 고려한다. [그림 1]처럼 두 개의 서로 다른 전하를 고려하면 어떻게 될까?

[그림 1] 전기 쌍극자

[그림 1]의 전하 분포는 매우 중요하다. 왜냐하면 일반적인 물질에 전기장을 가하면 [그림 1]과 같이 전하가 서로 분리되기 때문이다.[∵ 전기장이 가해지면 ($+$) 전하는 ($-$)쪽으로, ($-$) 전하는 ($+$)쪽으로 움직이기 때문이다.] 전기장에 의해 전하가 분리되는 현상은 분극 혹은 극갈림(分極, polarization)이라 한다. 식 (1)에 있는 전압(voltage)의 정의를 이용해 [그림 1]의 전기 쌍극자(electric dipole) 특성을 식 (2)와 같이 계산한다.

                           (1)

                           (2)

[그림 2] 구 좌표계의 표현(출처: wikipedia.org)

원점 기준에 대한 관측점(observation point) $r$이 매우 멀리 있다고 하면[$r \gg d$] 식 (2)를 아래처럼 근사화할 수 있다.

                          (3)

여기서 $r^2$ = $\rho^2 + z^2$, $\rho^2$ = $x^2 + y^2$; $\theta$는 [그림 2]에 제시한 극고도각(極高度角, polar angle: $\theta$는 꼭대기부터 시작해 내려오기 때문에 일반 고도각과는 정의가 약간 다름), $\hat z \cdot \hat r$ = $\cos \theta$, 벡터 $\bar d$ = $d \hat z$는 변위 벡터(displacement vector)이다.

[그림 3] 전기 쌍극자 모멘트의 방향(출처: wikipedia.org)

[그림 1]에서 변위 벡터의 정의를 보면 특이하다. [그림 3]처럼 ($-$) 전하에서 ($+$) 전하로 가는 방향이 벡터 $\bar d$의 기준 방향이 된다. 이 방향은 전기장을 정의할 때와는 반대이다.[∵ 전기장은 ($+$) 전하에서 나와 ($-$) 전하로 들어간다.] 식 (3)에 있는 전기 쌍극자 모멘트 혹은 전기 쌍극자 능률(electric dipole moment) $\bar p$의 기준 방향을 [그림 3]과 같이 전기장과 반대로 정하면, 유전체(dielectric)의 성질을 표현하기가 매우 편리하다.

[그림 4] 외부 전기장과 분극에 의한 전기장의 방향(출처: wikipedia.org)

왜냐하면 [그림 4]처럼 물체에 전기장이 가해지면 전기적인 인력과 척력에 따라 물체 내부에 ($+$)와 ($-$) 전하가 나누어지는 분극이 생기고, 분극에 의한 전기장은 외부 전기장과 정확히 반대가 되기 때문이다. 즉, 분극에 의한 전기장과는 반대 방향으로 물체 내부의 전기 쌍극자 모멘트를 정의하면, 외부 전기장과 전기 쌍극자 모멘트의 벡터 방향이 일치해서 유전체의 공식화가 간단해진다. 전기 쌍극자 모멘트(electric dipole moment)에 나오는 모멘트 혹은 능률(能率, moment)은 어떤 물리량이 변하는 경향을 뜻한다.[영어 moment의 어원이 라틴어 momentum(운동)인 이유이다.] 식 (3)은 전기 쌍극자가 변하는 경향을 나타내는 지표라서 당연히 모멘트가 어울린다. 조금 더 전문적으로 설명하면 모멘트는 어떤 형태나 특성을 곱 형태로 표현하는 핵심 측정량(measure)을 뜻한다. 물리학에서는 주로 수직 길이를 모멘트라 하지만 반드시 이럴 필요는 없다. 식 (3)에서는 길이와 더불어 전하량까지 곱한 값을 모멘트로 정의한다.
식 (3)에 구배 연산자(gradient operator)를 적용해서 전기장을 계산한다.

                       (4)

                       (5)

 그런데 식 (5)가 성립하는 영역은 $r \gg d$이므로 전기 쌍극자가 있는 곳[$r \approx d$]과는 거리가 매우 먼 곳이다.

[그림 5] 전기 쌍극자가 만드는 전기장(출처: wikipedia.org)

전기 쌍극자 가까이에서는 식 (5)가 맞지 않으므로 $d \gg r$이라 가정하고 식 (3)의 방법론을 적용한다.

                       (6)

식 (6)에 구배 연산자를 적용하면 전기 쌍극자 가까이의 전기장을 구할 수 있다.

                       (7)

만약 $d$가 매우 작아지면 어떻게 되는가? 편하게 계산하기 위해 전기 쌍극자 모멘트 $\bar p$는 $d$에 관계없이 일정하고 $d$만 작아진다고 가정한다. 그러면 다음 극한이 성립한다.

                       (8)

여기서 반지름이 $d/2$인 구 부피의 극한은 $0$이라고 가정한다. 3차원 디랙 델타 함수(Dirac delta function) $\delta (\bar r)$는 아래처럼 정의한다.

                          (9)

여기서 $\bar r , \bar r'$는 각각 관측점(observation point)과 원천점(source point)이다.

[반도체에서 여기자(勵起) 혹은 엑시톤(exciton)이 만드는 분극자(分極子) 혹은 폴라리톤(polariton)]

미시 세계에서 분극 현상을 설명하는 양자화된 준입자(quasiparticle)는 분극자폴라리톤, 혹은 극갈림알(分極子, polariton)이라 부른다. 분극자는 외부에서 입사하는 빛과 금속(metal)이나 반도체(semiconductor)에 존재하는 전기 혹은 자기 쌍극자(electric or magnetic dipole)의 강력한 상호 작용으로 발생한다. 예를 들어, 반도체에 빛을 비추면 어떤 경우에 여기자 분극자 혹은 엑시톤 폴라리톤(exciton polariton)이 생긴다. 이때 빛으로 생성한 회전하는 전자–정공 쌍(electron–hole pair, EHP)인 여기자 혹은 엑시톤(勵起子, exciton)이 전기 쌍극자를 담당한다. 시간이 지나면 EHP는 점점 감소하면서 사라져 빛이 다시 방출한다. 이 빛을 공진기(resonator)에서 반도체로 다시 되돌리면, EHP의 여기자가 다시 출현한다. 이 과정이 계속 반복되면서 빛과 여기자의 상호 작용은 하나의 입자처럼 행동해서 이 부분을 여기자 분극자라 명명한다.

(a) SPP의 전자기장 구성: $x$축으로 진행

(b) 진행 방향으로 전기장의 변화
[그림 6] 표면 플라즈몬 분극자(surface plasmon polariton, SPP)의 진행(출처: wikipedia.org)

금속과 유전체가 접합된 표면에는 [그림 6]처럼 플라즈몬(plasmon), 해리체자(解離體子), 혹은 플라즈마알[플라즈마 알갱이]이 존재할 수 있다. 다른 말로 덩어리 플라즈몬(bulk plasmon)이 아닌 표면 플라즈몬(surface plasmon)으로 정확히 부른다. 빛이 금속과 유전체 표면에 입사하면, 플라즈마(解離體, plasma)처럼 자유 전자(free electron)가 풍부한 금속 표면에 빛의 전기장이 유기하는 플라즈몬 혹은 더 쉽게 전하 밀도의 진동(oscillation of electric charge density)이 표면에 생긴다. 이 현상은 손실 유전체에 나타나는 침투 깊이(penetration depth)와 비슷하다. 그 다음에 빛의 주파수[주로 가시광(visible light) 대역]와 전기장(electric field)에 따라 전자가 모이거나 흩어지는 영역이 차례로 만들어져 분극자가 형성된다. 이로 인해 빛이 진행하는 방향으로 [그림 6]과 같이 표면 플라즈몬이 극성을 바꾸는 분극자인 표면 플라즈몬 분극자 혹은 폴라리톤(surface plasmon polariton, SPP)표면파(surface wave) 형태로 진행한다. 그래서 빛과 함께 ($+$)와 ($-$)로 교대 진동하는 전하 밀도(electric charge density)의 상호 작용을 준입자(quasiparticle)인 표면 플라즈몬 분극자로 이름 붙인다.

[그림 7] 전기 쌍극자에 작용하는 전기력

물질 내부에 고정된 전기 쌍극자에 작용하는 전기력은 [그림 7]과 같다. 외부에서 인가한 전기장 $\bar E$에 따라 전기 쌍극자의 ($+$)와 ($-$) 전하는 전기력을 받는다. 하지만 전기 쌍극자는 결정 분자의 내부에 있기 때문에 전기력이 있더라도 자유롭게 병진 운동을 할 수는 없다. 대신에 전기력에 의한 회전 운동이 다음처럼 발생할 수 있다.

                          (10)

따라서 회전력(torque) $\bar \tau$는 전기 쌍극자 모멘트 $\bar p$와 외부 전기장 $\bar E$의 벡터 외적과 같다. 즉, 전기 쌍극자 모멘트에 수직인 방향으로 입사하는 전기장이 전기 쌍극자의 회전을 발생시킬 수 있다.

                          (11)

식 (11)은 전자기파(electromagnetic wave)를 사용하는 전자레인지에서 물 분자를 회전시키는 원리이다. 시간적으로 변하는 전기장은 식 (11)에 따라 전기 쌍극자를 가진 물 분자의 회전을 일으키고, 공진 주파수에 해당하는 주기로 전기장이 변하면 물 분자가 완전히 회전을 해서 마찰에 의한 열을 발생시킨다. 식 (11)에 바탕으로 두고 전기 쌍극자가 가진 위치 에너지도 정의할 수 있다. 위치 에너지는 기준점과의 차이만 중요하기 때문에, 보통 회전력이 가장 큰 $\theta$ = $\pi/2$를 위치 에너지의 영점으로 삼는다. 따라서 $\theta$에서 전기 쌍극자가 가진 위치 에너지 $U$는 다음과 같이 정의한다.

                          (12)

우리가 위치 에너지의 영점을 $\theta$ = $\pi/2$에 잡기 때문에, 결과적으로 식 (12)가 간단해진다. 식 (12)를 벡터 형태로 다시 쓰면 다음과 같다.

                          (13)

전기장 $\bar E$가 $\bar p$와 동일한 방향으로 가해지면, 위치 에너지가 가장 낮아져서 $\bar p$는 이 상태에 머물 수 있다. 또한 $\bar E$의 방향이 $\bar p$와 반대인 경우는 가장 높은 위치 에너지로 인해 $\bar p$가 불안정해진다.

[그림 8] 전기 단극자(electric monopole)로부터 전기 쌍극자, 4극자, 8극자를 생성

[그림 1]에 소개한 전기 쌍극자를 $z$방향으로 평행 이동해서 다양한 전기 다극자(electric multipole)를 생성할 수 있다. [그림 8]처럼 전기 쌍극자를 복사해서 $\pm z$방향으로 $d/2$만큼 평행 이동하고, $-z$방향으로 움직인 전기 쌍극자의 전하 부호를 바꾸면 전기 4극자(electric quadrupole)가 생긴다. 이 4극자를 다시 복사하고 $z$축에 대해 $\pm d/2$만큼 옮기고, 아래쪽 4극자의 전하 부호를 뒤집은 결과는 전기 8극자(electric octupole)로 부른다. 이와 같은 방식으로 2의 거듭제곱인 전기 다극자를 여러 가지로 만들 수 있다.
전기 4극자의 전압 관계식 $V_4(\bar r)$을 전기 쌍극자의 전압인 식 (3)으로부터 만들어본다.

                          (14)

여기서 $z$ = $r \cos \theta$; $V_2(\bar r)$은 전기 쌍극자의 전압이다. 식 (14)는 4극자의 전압이 $r^3$에 반비례하는 결과를 명확히 보이지만 약간 오차가 있는 점근식이다. 더 정확한 결과를 얻으려면 르장드르 함수(Legendre function)생성 함수(generating function)를 써서 [그림 8]에 보인 전기 4극자의 분포를 계산해야 한다.

                          (15a)

[그림 8]과 같은 전기 다극자의 생성 방식으로 인해 전기 4극자는 단극자와 쌍극자에 해당하는 $n$ = $0$과 $1$ 항이 상쇄된다. 그래서 원점[그림 8에서 초록색] 기준으로 $\pm d$만큼 떨어진 $+Q$ 전하의 전개식에서 $n$ = $2$인 항만 선택한다.

                          (15b)

식 (14)와 (15b)를 비교하면 $\sin^2 \theta$만큼 차이나며, 식 (15b)가 식 (14)보다 더 정확한 근사이다. 이와 비슷한 방법으로 전기 다극자의 전압식을 쉽게 유도할 수 있다. 다른 관점으로 르장드르 다항식(Legendre polynomial) $P_n(\cos \theta)$는 전하 개수가 $2^n$인 전기 다극자의 전압 계수에 정비례한다.

[참고문헌]
[1] J. D. Jackson, Classical Electrodynamics, 3rd ed., John Wiley & Sons, 1999.

[다음 읽을거리]
1. 유전체의 비밀
2. 자기 쌍극자 모멘트

2011년 9월 17일 토요일

한양대학교 OpenCourseWare

2001년부터 시작한 MIT OCW(OpenCourseWare)보다는 늦었지만 한양대학교도 인터넷 강의를 무료로 공개하고 있다. 참 좋은 일이다.



전국대학들의 OCW를 제공하는 사이트는 KOCW(Korea OCW)이다. 여기에 가면 국내대학강의, 해외공개강의, 노벨상/석학특강 등을 무료로 볼 수 있다.

주파수 안정성이 좋은 클라이스트론(Klystron for High Frequency Stability)

[경고] 아래 글을 읽지 않고 "클라이스트론"을 보면 바보로 느껴질 수 있습니다.
1. 최초의 입자 가속기 사이클로트론
2. 고출력 증폭기인 TWT
3. 전자레인지에 사용하는 마그네트론


[그림 1] 클라이스트론의 구조(출처: wikipedia.org)

[그림 1]에 있는 이중 공진기 클라이스트론(two-cavity klystron)은 다른 고출력 증폭기에 비해 우수한 주파수 안정성을 가진다. 왜냐하면 고성능 공진기(cavity resonator)를 이용해 RF(Radio Frequency) 입력과 출력을 얻기 때문이다. 클라이스(klys)는 독일말(German)로 뭉쳐짐을 의미하며 트론(tron)은 전자(電子, electron)의 축약이기 때문에, 클라이스트론은 뭉쳐진 전자란 증폭기의 동작 원리를 표현한다. 클라이스트론 개발 역사는 [1]에서 볼 수 있다. 클라이스트론의 사용 주파수는 200 MHz~100 GHz 정도이다. 클라이스트론을 마그네트론(magnetron)과 비교하면, 클라이스트론의 장점인 주파수 안정성 특성을 더 쉽게 이해할 수 있다. 마그네트론은 음극(cathode)에서 쏜 전자(electron)자기장(magnetic field)에 의해 휘어지면서 전자파를 복사한다. 그래서 주파수 안정성이 매우 떨어진다. 이를 해결하기 위해 양극(anode)에 다수의 공진기를 설치하지만 필터(filter) 성능이 아주 좋지는 않아 여전히 다양한 주파수가 검출된다. 클라이스트론은 강력한 주파수 선택도를 가진 공진기를 직접 통과하면서 전자파를 증폭시키므로, 주파수 안정성이 매우 좋다.
클라이스트론의 동작 원리는 TWT(Traveling-Wave Tube)와 매우 유사하다. 두 고출력 증폭기의 차이점은 다음과 같다. TWT는 저속 파동(slow-wave) 전송선(transmission)을 이용해 전자–전자파 상호 작용을 만들지만, 클라이스트론은 공진기를 이용한다. [그림 1]에 있는 전자총(electron gun: 그림 1의 음극)에서 전자를 발사하면 이 전자 빔(electron beam)은 첫번째 공진기(buncher cavity)를 반드시 지나야 한다. 첫번째 공진기에서는 전자 뭉침(bunching of electron)도 일어난다. 그래서 뭉침 공진기(buncher cavity)라고도 한다. 뭉침 공진기에서 전자 뭉침이 일어나기 위해서는 RF 입력이 있어야 한다. 공진기에 입력되는 RF 신호는 공진기벽에 반사되면서 [그림 2]와 같은 정재파(standing wave)도 만든다.

[그림 2] 정재파의 운동 모습(출처: wikipedia.org)

[그림 2]처럼 정재파가 만드는 전기장(electric field)은 어떤 시간에는 (+), 어떤 시간에는 (-)를 형성한다. 이에 따라 뭉침 공진기에 들어오는 전자 흐름도 가속과 감속을 반복한다. 즉, 정재파 전기장이 전자 흐름을 특정 위치에 뭉쳐지도록 한다. 이렇게 고속으로 진행한 전자 뭉침은 두번째 공진기에 들어가 다시 강력한 정재파를 형성한다. 이 정재파는 결합기(結合器, coupler)를 이용해 증폭된 RF 에너지를 외부로 출력한다. 두번째 공진기는 RF 출력을 담당하므로 포획 공진기(catcher cavity)라 한다. 혹은 클라이스트론의 원리를 FET(Field Effect Transistor)로 생각해도 된다. 이 개념에서는 음극이 소스(source), 뭉침 공진기가 게이트(gate), 포획 공진기가 드레인(drain)이 된다. 차이점이 있다면 FET의 출력은 전류(electric current)가 되지만 클라이스트론의 출력은 전자파(electromagnetic wave)가 됨에 있다.

[그림 3] 지구 관측(Earth observation, EO) 위성의 운용 모습(출처: wikipedia.org)

[그림 3]과 같은 운용 환경에서 클라이스트론과 같은 고출력 증폭기를 사용하면 다중 충돌 효과(multipaction or multipactor effect: multiple + impaction)이라는 문제가 발생하기 쉽다. 우주처럼 거의 진공인 조건에서는 전자의 평균 자유 거리(mean free path)가 커진다. 그래서 우주선(cosmic ray)이나 빛이 금속 표면을 때려서 자유 전자(free electron)를 방출하면, 전자는 사라지지 않고 평균 자유 거리 안에서 고출력 증폭기의 전기장에 강하게 가속된다. 이 자유 전자는 다시 주변의 금속에 충돌하여 2차 전자(secondary electron)를 만들며, 이 과정이 계속 반복되면서 전자가 기하 급수적으로 증가하는 다중 충돌 현상이 생긴다. 다중 충돌이 생기면 통신 잡음이 커지고 RF(radio frequency) 부품이 망가지기도 한다. 다중 충돌이 일어나는 조건은 뉴턴의 운동 법칙(Newton's laws of motion)으로 쉽게 찾을 수 있다. 먼저 뉴턴의 제2 법칙에서 외부 힘은 사인 함수로 변한다고 가정한다.

                  (1a)

여기서 $x(0)$ = $0$, $v(0)$ = $0$; $x(t)$와 $v(t)$는 자유 전자의 위치와 속도, $E_0$는 $-\hat x$방향으로 가해지는 외부 전기장(electric field)의 세기이다. 다중 충돌이 일어나는 주파수를 $f_0$ = $1/T$라 하면, 전자는 $t$ = $T/2$까지만 $+\hat x$축으로 가속된다. 그래서 $x(T/2)$ = $d$ 위치에 2차 금속이 존재하면 다중 충돌을 만드는 공진(resonance)이 발생하게 된다.

                  (1b)

여기서 $\omega_0$ = $2 \pi f_0$, $E_0$ = $V_0/d$이다. 식 (1b)를 $f_0 d$에 대해 정리한다.

                          (1)

이 결과는 다중 충돌의 공진 조건을 보여주는 주파수–틈 곱(frequency–gap product)이다.

[참고자료]
[2] J. R. M. Vaughan, "Multipactor,"  IEEE Trans. Electron Devices, vol. 35, no. 7, pp. 1172–1180, Jul. 1988.

[다음 읽을거리]
1. 고출력 밀리미터파 생성 위한 자이로트론